興奮性・抑制性シナプス後電位

興奮性シナプス後電位EPSPは、シナプス後細胞の活動電位発生確率を高める局所電位である。抑制性シナプス後電位IPSPは発火確率を下げる。両者は膜電位変化の向きだけでなく、開いたチャネルの反転電位と発火閾値との関係で定義される。

アクセルとブレーキに例えられるが、ブレーキは必ず膜電位を大きく下げるとは限らない。膜を一定電位へ固定し、他の入力による変化を漏らす「シャント」でも抑制できる。

グルタミン酸受容体などの陽イオンチャネルが開くと膜電位は0 mV付近の反転電位へ近づき、通常EPSPとなる。GABAA受容体によるCl⁻コンダクタンス増加やGABAB経路によるK⁺コンダクタンス増加は、膜電位を閾値から遠ざけるか入力抵抗を下げてIPSPを生む。各シナプス電位は局所電位で、時間・空間的に加重されて軸索初節の発火を決める。

樹状突起に複数のEPSPが同時に入ると活動電位が生じやすくなるが、軸索初節近くの抑制性入力がCl⁻コンダクタンスを増やすと発火が抑えられる。

脱分極性入力が必ず興奮性、過分極性入力が必ず抑制性とは限らない。発達期や細胞内Cl⁻濃度が異なる状況ではGABA応答の向きが変わりうる。